半导体三极管的一个电极。用来把载流子发射到基极去。参看〖三极管〗。
该词语来源于人们的生产生活。
1、我们所研究的晶体管都是把电流馈入发射极。
2、目前共发射极接法用途最多，应用最广。
3、在最佳工作条件下，给出了集电极电流和集电极-发射极电压波形。
4、电路的基本结构采用两级放大结构，以共发射极结构作为输入级，以达林顿结构作为输出级。
5、导出多晶硅发射极晶体管电流增益的表达式，很好地解释了实验结果。
6、报道了钝化发射极、背面定域扩散高效率硅太阳电池的研制结果。
7、长期以来，解决微波功率晶体管的电流集中问题的通用做法是使用发射极镇流电阻，以及PTC，CTR热敏电阻等无源器件。
8、第五步：调末级功率管的静态电流，该电流值可以经由过程测功率管的发射极电阻的电压换算而得到。
9、在深入地分析其优点的同时论证了选择性发射极结构是提高太阳电池光电转换效率的有效途径。
10、截止频率是影响共发射极、共基极和共集电极电路频率特性的重要因素。
11、发射极关断（ETO）晶闸管是一种新型MOS可控晶闸管。由于它改善了开关性能，容易控制，因此适用于大功率变流器。
12、高灵敏度，低集电极暗电流，高集电极发射极电压型光电耦合器。
13、该有限长的量子结构分与两半无限长的量子通道相连，当施加一偏压时，量子通道分别可作为电子的发射极和收集极。
14、本文含有两方面的研究内容：选择性发射极太阳电池的研究和光伏工程最佳倾角的设计研究。
15、基极中空穴的密度小于发射极和集电极中自由电子的密度。
16、本文提出了一种三指发射极HBT的设计。
17、指出了选择性发射极太阳电池结构的特征。
18、结果表明该电阻与光敏区面积、发射区边长、发射区位置、发射极电流等因素有关。
19、并对发射极正反接电压不同而出现的不同调制现象进行了分析。
20、在晶体管制作过程中采用了发射极-基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性。
21、基极总是比发射极和集电极薄得多。
22、液晶显示器制造工艺中的降低反射层、透明电极、发射极与阴极等均由溅射方法形成。
23、选择性发射极技术在电极接触区域进行高浓度掺杂，而在光吸收区域进行低浓度掺杂，能较好地克服上述问题。
24、介绍了一种新的亚微米发射极窗口刻蚀工艺。
25、选择R6的阻值时要确保在负载电流的最高允许值的条件下，Q2的基极-发射极电压大约低于0.5V。
26、由于Q2的基极-发射极的电压为0V而截止，因此没有负载电流流过R6。
27、当ILOAD超过最大允许值时发生过载情况，R6上的电压增大导致基极-发射极电压足够大到导通Q2。
28、依靠Q2的基极-发射极电压，过流检测机制的精度低于过压功能。
29、图2-1（a）给出了共发射极取向白勺晶体管白勺物理特性，同时也给出了硅器件白勺电压极性和大小。
30、本文研制的光子符合仪利用了高速ECL（发射极耦合逻辑）电路捕获、采集由单光子探测器转换输出的电子窄脉冲，并做符合测量后送往高速缓冲器。
